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在現(xiàn)代電子設備設計中，對電源管理芯片的性能和集成度要求越來越高。PL3325C，一款高效、高集成度的PWM功率開關，正以其卓越的性能和緊湊的設計，滿足了這些日益增長的需求。這款芯片不僅提供了恒壓和恒流的輸出，還集成了多種保護功能，使其在多種應用中都能表現(xiàn)出色。三佛科技將深入探討PL3325C芯片的詳細規(guī)格、典型應用和設計優(yōu)勢，展示它如何為電子設計帶來便利和效率。
| 項目 | 數(shù)值 | 備注 |
|---|---|---|
| 輸入電壓 | 90-264VAC | 全壓 |
| 輸出功率 | ≤12W | 自然散熱 |
| 內(nèi)置 MOSFET | 650V/4.8Ω (SOP) / 900V/5.5Ω (DIP) | 無需外部高壓管 |
| 恒壓精度 | ±5% | 原邊反饋 |
| 恒流精度 | ±5% | 原邊采樣 |
| 空載功耗 | <75mW | 滿足 CoC V5 |
| 開關頻率 | 120kHz(max) / 550Hz(min) | PWM+PFM 復合 |
| 啟動電流 | 5μA | 大啟動電阻+小 VDD 電容 |
| 保護功能 | OCP/UVLO/OVP/OTP/開短路 | 全部自恢復 |
| 封裝 | SOP7/DIP7/SOP8 | 兼容傳統(tǒng)腳距 |
| 管腳 | 名稱 | 描述 |
|---|---|---|
| 1 | GND | 芯片地，散熱焊盤 |
| 2 | VDD | 芯片電源 15-27V，內(nèi)部 UVLO |
| 3 | FB | 輸出電壓/退磁/線補償多功能檢測 |
| 4 | CS | 原邊電流采樣，恒流點編程 |
| 5-7 | DRAIN | 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極，接變壓器原邊 |
| 項目 | 實測值 | 備注 |
|---|---|---|
| 峰值效率 | 85.4%@230V/1A | 板端 |
| 空載功耗 | 65mW@230V | <75mW 規(guī)格 |
| 輸出紋波 | 110mV | 20MHz帶寬 |
| 恒流精度 | ±4.8% | 90-264V全壓 |
| 恒壓精度 | ±3.2% | 0-1A負載 |
| 動態(tài)負載 | ΔVo<±200mV | 0→1A 階躍 |
| 雷擊 | ±2kV L-N | PASS |
| 靜電 | 接觸±8kV | PASS |
| 封裝 | 熱阻 RθJA | 建議功率 | 特點 |
|---|---|---|---|
| SOP7 | 120°C/W | ≤8W | 單面紙基板可用 |
| DIP7 | 85°C/W | ≤12W | 插件，散熱好 |
| SOP8 | 110°C/W | ≤10W | 多腳大銅皮 |
| 型號 | 封裝 | 內(nèi)MOS | 推薦功率 | 應用 |
|---|---|---|---|---|
| PL3325CS | SOP7 | 650V/4.8Ω | 5W-8W | 手機充電器 |
| PL3325CD | DIP7 | 900V/5.5Ω | 8W-12W | 小家電輔助電源 |
| PL3325CE | SOP8 | 650V/4.8Ω | 6W-10W | 智能鎖、LED驅(qū)動 |
PL3325C 用一顆拇指蓋大小的封裝，把高壓 MOSFET、原邊 CV/CC 控制器、全套保護、線補償、電感補償全部集成：
綜上所述，PL3325C芯片以其高效的性能、集成度高的設計和全面的保護功能，為電子設備設計提供了一個可靠和經(jīng)濟的電源解決方案。